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IRF530NPBF

發布時間:2019/7/22 16:08:00 訪問次數:62 發布企業:深圳市興科泰科技有限公司

IRF530NPBF 品牌IR國際整流器

IRF530NPBF 封裝TO-220-3

IRF530NPBF詳細參數如下: FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 100V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 17A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值) 90 毫歐 @ 9A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值) 37nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 920pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 70W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3

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這件事說明IRF530NPBF了科技、經濟與外交關系密不可分,韓日之間的貿易問題本質上是雙方二戰后關系修補及損失賠償關系的延伸。韓國的內存、閃存、OLED在全球電子產IRF530NPBF品供應鏈中占據重要角色,如果這次供應鏈危機不能妥善解決,將嚴重影響韓國GDP,進而影響全球,由此可見科技與外交關系對經濟的影響。

  其次,郭臺銘認為這件事說明IRF530NPBF了“技術靠研發、命運靠自己”的重要性。日本長期在基礎IRF530NPBF化學上下功夫,在半導體原材料市場上掌握了主導,關鍵原材料雖然個別營收不高,但對下游生產非常重要。

  郭臺銘指出,日韓的爭端對中國大陸、臺灣等地的生產商相對利多,但是因為生產門檻高,IRF530NPBF要拿到這些訂單也不容易。

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興科泰科技公司分銷多種國際知名品牌系列電子元器件如:FAIRCHILD、TOSHIBA、ST、IR、TI、ON、PHILIPS(NXP)、

INFINEON、IXYS、APT、VISHAY、FUJI、NIEC、SANYO、SANKEN、RENESAS、SAMSUNG、ATMEL、MAXIM、

DALLAS、POWER、ROHM、NEC、KEC、JRC、AOS、NS、AD、UTC、SEP等。

優勢產品線:MOSFET場效應管、可控硅、快恢復二極管、肖特基管、大功率IGBT

以及集成電路IC、電源驅動IC、音響功放IC、貼片MOSFET、片狀二、三極管、橋堆。

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