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AT45DB641E-SHN-T

發布時間:2019/7/22 19:50:00 訪問次數:51 發布企業:西旗科技(深圳)有限公司





描述:AT45DB641E-SHN-T
AT45DB641E-SHN-T是一款最小1.7V的串行接口順序存取閃存,非常適合各種各樣的閃存數字語音,圖像,程序代碼和數據存儲應用程序。 AT45DB641E-SHN-T還支持RapidS串行適用于需要高速運行的應用的接口。它的69,206,016位內存組織為32,768每頁256字節或264字節的頁面。除主存儲器外,AT45DB641E-SHN-T還包含兩個SRAM每個256/264字節的緩沖區。兩個緩沖區之間的交錯可以顯著提高系統寫入的能力連續數據流。此外,SRAM緩沖區可用作附加系統暫存器內存,以及E2可以使用獨立的三步讀取 - 修改 - 寫入輕松處理PROM仿真(位或字節可變性)操作。與通過多個地址線和并行接口隨機訪問的傳統閃存不同,DataFlash®使用串行接口順序訪問其數據。簡單的順序訪問大大減少了有源引腳數,有助于簡化硬件布局,提高系統可靠性,最大限度地降低開關噪聲,以及減少包裝尺寸。該器件經過優化,適用于許多商業和工業應用高密度,低引腳數,低電壓和低功耗是必不可少的。
為了實現簡單的系統內可重新編程,AT45DB641E不需要高輸入電壓節目。該器件采用1.7V至3.6V單電源供電,用于擦除,編程和讀取操作。 AT45DB641E-SHN-T通過片選引腳(CS)使能,并通過3線接口訪問串行輸入(SI),串行輸出(SO)和串行時鐘(SCK)。所有編程和擦除周期都是自定時的。


特征:AT45DB641E-SHN-T
單1.7V - 3.6V電源
串行外設接口(SPI)兼容
支持SPI模式0和3
支持RapidS™操作
整個陣列的連續讀取能力
高達85MHz
低至15MHz的低功耗讀取選項
時鐘到輸出時間(tV)最大為8ns
用戶可配置的頁面大小
每頁256字節
每頁264字節(默認)
頁面大小可以在工廠預先配置為256個字節
兩個完全獨立的SRAM數據緩沖區(256/264字節)
允許在重新編程主存儲器陣列時接收數據
靈活的編程選項
字節/頁面編程(1到256/264字節)直接進入主存儲器
緩沖區寫入|緩沖區到主存儲器頁面程序
靈活的擦除選項
頁擦除(256/264字節)
塊擦除(2KB)
扇區擦除(256KB)
芯片擦除(64-Mbits)
編程和擦除暫停/恢復
先進的硬件和軟件數據保護功能
個人部門保護
個別部門鎖定,使任何部門永久只讀
128字節,一次性可編程(OTP)安全寄存器
工廠編程的64字節帶有唯一標識符
64字節用戶可編程
硬件和軟件控制的復位選項
JEDEC標準制造商和設備ID讀取
低功耗
400nA超深斷電電流(典型值)
5μA深度掉電電流(典型值)
25μA待機電流(典型值)
7mA有源讀取電流(典型值)
耐久性:每頁最少100,000次編程/擦除周期
數據保留期:20年
符合完整的工業溫度范圍
綠色(無鉛/無鹵素/符合RoHS標準)封裝選項
8引腳SOIC(0.208“寬)
8焊盤超薄DFN(5 x 6 x 0.6mm)
8焊盤非常薄的DFN(6 x 8 x 1.0mm)
9球BGA(6mm x 6mm封裝,3 x 3球陣列)
44球dBGA(6 x 8改良球陣列)
以晶圓形式死亡


制造商:AT45DB641E-SHN-T
Adesto Technologies
產品種類:
NOR閃存
RoHS:
詳細信息
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOIC-8
系列:
AT45DB641E
存儲容量:
64 Mbit
最大時鐘頻率:
85 MHz
接口類型:
SPI
組織:
8 M x 8
定時類型:
Synchronous
數據總線寬度:
8 bit
電源電壓-最小:
1.7 V
電源電壓-最大:
3.6 V
電源電流—最大值:
22 mA
最小工作溫度:
- 40 C
最大工作溫度:
+ 85 C
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
存儲類型:
NOR
速度:
85 MHz
結構:
Chip Erase
商標:
Adesto Technologies
產品類型:
NOR Flash
工廠包裝數量:
2000
子類別:
Memory & Data Storage
商標名:
DataFlash
單位重量:
672 mg

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