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IPD068N10N3G

發布時間:2019/7/22 19:52:00 訪問次數:101發布企業:西旗科技(深圳)有限公司





產品描述:IPD068N10N3G

英飛凌的100V OptiMOS™功率MOSFET為高效率,高功率密度的SMPS提供卓越的解決方案。 與下一代最佳技術相比,該系列在R DS(on)和FOM(品質因數)方面均降低了30%。

功能摘要:IPD068N10N3G
•出色的開關性能
•世界上最低的R DS(開)
•Q g和Q gd非常低
•出色的柵極電荷x R DS(on)產品(FOM)
•符合RoHS標準 - 無鹵素
•MSL1評級為2

優點:IPD068N10N3G
•環保
•提高效率
•最高功率密度
•要求的并聯性較低
•最小的電路板空間消耗
•易于設計的產品

目標應用:IPD068N10N3G
•AC-DC SMPS的同步整流
•48V-80V系統的電機控制(即家用車輛,電動工具,卡車)
•隔離式DC-DC轉換器(電信和數據通信系統
•選擇48V系統中的開關和斷路器
•D類音頻放大器
•不間斷電源(UPS)


制造商:IPD068N10N3G
Infineon
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TO-252-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
100 V
Id-連續漏極電流:
90 A
Rds On-漏源導通電阻:
5.7 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:
2 V
Vgs - 柵極-源極電壓:
20 V
Qg-柵極電荷:
68 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
150 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
OptiMOS
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
2.3 mm
長度:
6.5 mm
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
6.22 mm
商標:
Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值:
54 S
下降時間:
9 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
37 ns
工廠包裝數量:
2500
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
37 ns
典型接通延遲時間:
19 ns
零件號別名:
IPD068N10N3GBTMA1 SP000469892
單位重量:
4 g

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