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MN15226VRV SPICE模型主要參數

發布時間:2019/11/7 22:37:08 訪問次數:2207

MN15226VRV化的高頻小信號等效電路,如圖d所示。由圖d可知,其高頻段電壓增益具有三階低通特性的形式:

avh=avsm/(1+jf/fh1)(1+jf/fh2)(1+jf/fh3)

其中              avsm=-gm1rc/1+gm1r2

                     fh1=1/2πRcC1

                     fh2=1/2π(R2||re)cbeC1

                     fh3=1/2πRcCbc

根據給定參數可算出

               avsm=-gm1rc/1+gm1r2=-18*20/1+18*0.1=-128.6

fh1=1/2trsc1=1/2π×5×103Ω*3.4x10-12F=9.4x106hz=9.4Mhz

fH2=1/2π(R2 ||rc)cb`e

考慮到R2=100Ω,re=10Ω,R2>>re,故

fh2=1/2t(r2||re)cbe

fh3=1/2trccbe=1/2t*20*103Ω*5*10-12f=1.59*106hz=1.59mhz

由于fh3遠小于fh2和fh1,所以總的上限頻率fh=fh3=1.59mhz,滿足設計要求。

場效應管的SPICE模型要比二極管的模型復雜得多,涉及到的參數有二十多個,表5,6.1和表5,6.2列出了部分常用的主要參數。

            

ui≈198.94×106 Hz=198.94 MHz,表5,6.1 MOsFET的模型主要參數.

Level=3時屬于短溝道器件,此時無論是否設置了溝道長度調制系數Lambda的值,總認為Lambda=0,因此在仿真溝道長度調制系數對電路的影響時,要將Level設置為2或1。要注意Κn與Kn的區別,Kn是電導常數,Kn=kn/2*w/l,它們的單位是一樣的。模型中Kp的值實際上是Kl的值。

            

表5,6.2 JFET的SPICE模型主要參數,例SPE5,6.1 電路如圖5.2,3所示。設NMOS管T的參數為%=0.8Ⅴ,kn=1 mA/Ⅴ2。 電路其他參數為: yDD=yss=5Ⅴ, J=0.5 mA, Rd=7 kΩ,Rg=200 kΩ,Cs=47 uF,輸人信號采用振幅為10 mⅤ,頻率為1 kHz的正弦波。試用SPICE分析,研究溝道調制參數入對小信號電壓增益的影響。

解:場效應管選用IRF150模型,根據要求修改其參數為Level=2 Kp=50 uA/Ⅴ2 Ⅵ=80 un1 L=2 urnˉⅤto=0.8V,設置交流掃描分析,同時設置二級掃描分析,對模型參數Lambda(入)分別為0、0.01、0.05、0.1四個值進行掃描,得到如圖5.6.1所示波形。由圖看出,入愈大,增益愈小。

           

圖5.6.1 人不同時電路的幅頻響應 ,例SPE5,6,2 共柵極放大電路如圖5.6.2所示,電路參數為rQ=1 mA,7DD=yss=5Ⅴ,Rg=100 kΩ,Rd=4 kΩ,RL=10 kΩ。場效應管的T的參數為u=1Ⅴ,j=1 mA/Ⅴ2,入=0。設輸入電流為100sin2π×103t(uA),u=50 kΩ,求輸出電壓;(2)確定小信號電壓增益、電流增益、輸入電阻及電阻輸出共柵極放大電路

            

解:場效應管選用IRF150模型,根據要求修改其參數為

Kp=50 uA/Ⅴ2 V...=80 unL=2 un1 Ⅴto=1Ⅴ

設置時域分析,得到輸出電壓如圖5.6.3a所示。互阻增益約為2855Ω。

設置交流掃描分析,得到電壓增益、電流增益的波特圖和輸人電阻的頻率響應曲線如圖b所示。由圖看出,通帶內電壓增益約為15 dB;漏極電流與輸人電流之比的電流增益約為00B(即1倍),表現出電流跟隨特性。負載電流與輸入電流之比的增益約為一10,88 dB;輸入電阻較小,約為504Ω。




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