位置:51電子網 » 技術資料 » 集成電路
W25Q80DVSNIG 柱塞沿軸向向左運動2019/11/17 15:26:50
W25Q80DVSNIG柱塞式液壓泵一液壓馬達組件,1一軸承;2一液壓泵傳動齒輪z11;3一可變斜盤;4一軸承;5一球形軸承;6一端部滑塊;7一銷片;8一柱塞;9一中心彈簧;10一缸體;11一軸...[全文]
ESC11SE62041P60尾翼的組成垂直安定面2019/11/16 21:21:08
ESC11SE62041P60增量對飛機重心形成的力矩是低頭力矩,阻止飛機抬頭水平距離飛機重心最遠,氣動力面積最大,所以,俯仰阻尼力矩主要由水平尾翼產生尾翼(見圖4-8)。...[全文]
SPX1117M3-5-0/TR 相位平衡條件分析電路2019/11/12 18:20:11
SPX1117M3-5-0/TR有用信號頻率為100Hz;有用信號頻率低于400Hz;希望抑制50Hz交流電源的干擾;希望抑制500Hz以下的信號。設運放為理想器件。在下列幾種情況...[全文]
R3111H311C-T1狀態召替換表2019/10/17 21:19:42
R3111H311C-T1畫出邏輯圖,并檢查自啟動能力根據激勵方程組和輸出方程畫出邏輯圖,如圖6.3.9所示。最后還應檢查該電路的自啟動能力。當...[全文]
​ DDs的主要技術參數2019/7/29 20:55:24
DDs的主要技術參數DDS中的相位累加器是Ⅳ比特的模2加法器,正弦查詢表R0M中存儲一個周期的正弦波幅度量化數據,所以頻率控制字Κ取最小值1時,每Γ個時鐘周期輸出一個周期的正弦波。...[全文]
試驗標硅、規范制定情況 2019/5/28 20:40:39
試驗標硅、規范制定情況H27U4G8F2DTR-BI目前美國和歐洲的實驗室和研究機構均未建立標準或指南性的用于指導結構分析的公開文件。針對各種器件展開的結構分析主要還是集中在依靠質...[全文]
DPA檢驗項目的方法應符合合同2019/5/27 20:03:10
DPA檢驗項目的方法應符合合同、相應產品A1126LUA-T規范和GJB4隴7A的要求,當采用合同或規范規定的檢驗項目時,應根據適當情況在GJB128、GJB360、GJB548等...[全文]
不同種類電子元器件相應的DPA項目2019/5/27 19:55:48
不同種類電子元器件相應的DPA項目對不同的元器件有不同的DPA試驗分析試驗項目,GJB4隴7A有明確的規定,如微電G2RL-2-DC5V子器件及半導體分立器件(包括單片集成電路、混...[全文]
元器件涉及的嚙合力和分離力試驗包括兩個部分2019/5/18 19:49:07
元器件涉及的嚙合力和分離力試驗包括兩個部分,一是連接器整體的嚙合力和分離力;G5177ARE1U二是連接器中接觸件的插入力和拔出力。電連接器嚙合力和分離力試驗是檢查裝配是否可靠,是...[全文]
非塑封器件的芯片超聲檢查主要對芯片接觸區的空洞進行檢測2019/5/18 19:45:22
非塑封器件的芯片超聲檢查主要對芯片接觸區的空洞進行檢測,在檢測過程中由于安裝材料的特殊性會影響檢測的結果,如果不能顯示真正的空洞或不能對檢測結果進行明確時,G4PC50W對此類器件應在檢測報告中...[全文]
接受本試驗的樣品應分成相等的三組2019/5/17 21:50:53
接受本試驗的樣品應分成相等的三組。把樣品在室溫下浸入RMA焊劑中(按GB/T%91的規定),預處理5~1os,然后把樣品置入215℃±5℃的環境下⑽+:s。EL2227CS-T13在預處理之后,...[全文]
考核電子元件承受焊接所產生的熱應力的能力即耐焊接熱試驗2019/5/17 21:32:26
考核電子元件承受焊接所產生的熱應力的能力即耐焊接熱試驗,屬于集成電路的物理試驗。EDB4432BBPJ-1D-F本試驗用于確定元件是否能經受得起在焊接(烙焊、浸焊、波峰焊或再流焊)端頭過程中所產...[全文]
X射線照相技術的發展趨勢 2019/5/17 21:01:44
X射線照相技術的發展趨勢目前X射線無損檢測技術大致可以分為三大類:基于2D圖像的X射線檢測分析技術;基于2D半圖像,EDB2432BCPC-8D-F具有最高放大倍數的傾斜視圖的X射...[全文]
有缺陷的密封2019/5/17 20:25:28
有缺陷的密封:不管哪種類型的器件,只要其整個封蓋密封是不連續的,或密封寬H10N60F度不到設計密封寬度的75%,就應拒收。最終密封過程所引起的噴濺不視為外來物,只要能夠確認它是連續的、均勻的、...[全文]
單片器件的接收判據2019/5/16 21:11:05
單片器件的接收判據1)單個器件的缺陷單個器件檢查應包括但又不限于檢查以下項目:多余物、由鍵合材料構成的低溫焊或熔焊的濺沫、AD1582BRT引線或觸絲的合適形狀和位置...[全文]
sRAM器件的單粒子翻轉測試系統2019/5/15 20:24:57
sRAM器件的單粒子翻轉測試系統圖3-22所示為sRAM器件單粒子翻轉效應測試系統示意圖。單片機控制被試sRAM器件的讀/寫,以及測試圖形與預定圖形的對比,并將比對結果發送給上位機...[全文]
國內相關標準調研分析2019/5/14 20:36:13
國內相關標準調研分析在半導體器件總劑量輻照試驗方面,國內主M24C02-WDW6TP要'總劑量輻照試驗標準如表3-6所示。表⒊...[全文]
劑量測試系統2019/5/14 20:32:05
劑量測試系統所謂劑量測試系統,M24C02-RDW6TP指的是電離總劑量輻照試驗過程中對輻照劑量率和輻照總劑量進行測量的裝置和方法。劑量測試系統的準確性和有效性是電離總劑量輻照試驗...[全文]
熱真空試驗溫度及壓力測量技術2019/5/13 21:24:29
熱真空試驗溫度及壓力測量技術熱真空試驗艙內的壓力是組件熱平衡與熱真空試驗中必須模擬的重要參數之一。IC42S16400D-7TL因此,試驗過程中對壓力的正確測景是試驗成敗的關鍵。試...[全文]
驗證接種液中所用霉菌孢子的活性2019/5/10 22:13:53
●驗證接種液中所用霉菌孢子的活性;●驗證試驗箱內的環境適宜霉菌生長的程度。材料和部件的霉菌試驗不能完全代表其所構成裝備的霉菌生長情況,因此,如需要LF1...[全文]
總頁數:158 每頁記錄數:20 當前頁數:1 首頁 上一頁 1 2 3 4 5 6 下一頁 尾頁

熱門點擊

IC型號推薦



腾讯时时彩计划官网